三星将在下个月发布一些与代工相关的重大公告。该公司计划在2023年VLSI技术和电路研讨会上公布其改进的3nm和4nm芯片制造工艺。该活动定于6月11日至16日在日本京都举行。

根据为期六天的活动主办方公布的节目详情，三星将在大会期间公布其第二代3nm工艺(SF3)。该公司在其3nm芯片中采用了GAA(Gate-All-Around)制造技术。第二代解决方案将使用更先进的多桥通道场效应晶体管(MBCFET)，并对当前工艺(SF3E)进行额外优化。

与三星目前采用FinFET制造技术的4nmEUV(极紫外)芯片(又名SF4)相比，SF3芯片的速度提高了22%，能效提高了34%。这些芯片还允许更小的逻辑区域，该公司声称芯片尺寸缩小了21%。不过，这家韩国公司并未详细说明SF3和SF3E3nm芯片在速度和功率效率方面的差异。

此外，三星将在下个月的VLSISymposium2023上首次亮相其最升级的4nm芯片(SF4X)。这些芯片似乎将针对HPC(高性能计算)应用程序。下一代解决方案将带来10%的性能提升，同时将功耗降低23%。“这种SF4X

技术在广泛的操作范围内为各种应用提供了巨大的性能优势，”官方论文指出。

三星迫切希望提高其代工份额。这家韩国巨头是世界第二大半导体代工企业，但它的市场份额只有15%左右。相比之下，其主要竞争对手台积电占据了大约60%的市场份额。该公司希望通过3nm芯片提高其份额。它押注于使用更先进的GAA技术来吸引客户。台积电再坚持一代FinFET架构。它计划在2025年转向采用2nm解决方案的GAA技术。

已经有报道称，三星已经赢得了明年高通骁龙8Gen4部分芯片的订单。在短暂考虑转向台积电之后，谷歌也可能会坚持使用三星的TensorG4。因此，对于这家韩国巨头来说，早期迹象看起来很有希望。但只有时间才能证明它能否在未来几年在半导体代工业务上更接近其竞争对手。

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