美光在移动设备内存市场上推出了采用更新的UFS4.0标准的新型闪存。OEM声称其速度比前代产品提高了一倍，同时功耗降低了25%。其“先进”3DNAND将有助于制造高达1TB的下一代优质智能手机。

美光公开向OnePlus11、小米13Ultra和MotorolaEdgePlus2023等设备的后继产品推销其最新的闪存模块，因为它们符合该类别更新的UFS4.0要求。这款“移动存储领域的下一个重大产品”采用了OEM最新的市场就绪技术，其规格可能会超越上一代产品。

升级到UFS4.0伴随着232层3DNAND芯片的使用，而美光UFS3.1闪存存储为176层。此次升级的速度最高可达其前身的2倍，连续写入和读取速度分别高达每秒4,000兆字节(MB/s)和4,300MB/s。

因此，该OEM声称其UFS4.0内存“可提供一流的性能”——只要下一代高端智能手机采用它即可。在不久的将来，这些一次性旗舰产品可能会配备高达1TB的这种“同类领先”闪存。

版权说明：本站所有作品图文均由用户自行上传分享，仅供网友学习交流。若您的权利被侵害，请联系我们

标签：产品UFS4下一代