单硅化镍(NiSi)广泛用于连接半导体电路中的晶体管。早期的理论计算错误地预测硅化硅没有磁性。因此，研究人员从未充分探索过硅化硅的磁性。

然而最近，科学家们利用中子散射来识别硅化硅中一种难以捉摸的磁序形式。该研究发表在《先进材料》杂志上。

磁性由相邻镍原子的磁自旋(有点像罗盘针)组成。这些自旋主要彼此相反，在一个方向上有一个小的集体倾斜。在远高于电子设备工作温度的温度下，磁性仍然存在。而且，这种磁性可以用小磁场翻转。

由于硅化镍广泛应用于半导体行业，因此它已经与芯片制造兼容。物理学家在橡树岭国家实验室能源部用户设施散裂中子源中使用中子散射来揭示单晶硅化硅中以前未知的磁序。

磁序主要是非中心对称(缺乏反演对称性)和反铁磁(AFM)，具有轻微的自旋倾斜，产生非常小的未补偿磁化强度。该顺序持续到至少700开尔文的温度——远高于电子设备的工作温度。

未补偿的磁化强度可以通过小磁场完全切换，并且磁场还会扰乱底层的AFM阶次。未补偿的磁化强度虽然很小，但对于观察到的反常霍尔效应(磁性和电子特性的耦合)至关重要，这对于主要的AFM材料来说非常显着。

NiSi强大的磁性结构和磁电子特性的耦合为将NiSi用于磁存储应用提供了机会。研究小组还应用密度泛函理论结合自(电子)相互作用校正方法(而不是使用局域密度近似)来确定磁性起源是由Ni3d轨道与Sisp态之间的杂化产生的。

利用半导体中新发现的硅化镍磁性可能会带来更快的计算机和计算机内存。硅化镍独特的磁性很有吸引力，因为使用磁性来存储和处理数据的电子设备可靠、快速且体积小。结果是以更低的成本提高了能力。这项工作还强调需要改进科学家将传统建模应用于某些材料的方式。

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