众所周知，磁畴壁是电阻的来源，因为传输电子自旋难以遵循其磁性纹理。这种现象在自旋电子器件中具有利用潜力，其中电阻可以根据域壁的存在与否而变化。

一类特别有趣的材料是半金属，如La2/3锶1/3氧化锰3(LSMO)，呈现完全自旋极化，允许它们在自旋电子器件中得到利用。半金属中单畴壁的阻力仍然未知。现在，来自西班牙，法国和德国的一个团队已经在LSMO纳米线上生成了一个单畴壁，并测量了比钴等普通铁磁体大20倍的电阻变化。

磁畴壁固有的磁畴纹理具有自旋电子学应用的潜力。铁磁体中的电阻取决于畴壁是否存在。这种二元效应(称为域壁磁阻)可用于对自旋电子存储器件中的信息进行编码。

然而，由于观察到的普通铁磁体电阻的微小变化，它们的开发受到阻碍。特别令人感兴趣的是锰矿钙钛矿，例如LSMO。这些化合物仅存在一种类型的自旋(全自旋极化)，这可能导致域壁磁阻效应，其大到足以用于新一代自旋电子传感器和注入器。

尽管前景广阔，但该系统的畴壁磁阻报告值存在很大差异。来自西班牙，法国和德国的科学家已经制造了基于纳米线的器件，能够对单个磁畴壁进行成核。这些设备中的磁输运测量表明，畴壁的存在导致电阻增加高达12%。从绝对值来看，观察到的电阻变化比报告的钴变化大20倍。

这项工作是长期合作的结果，涉及薄膜生长和纳米制造，传输测量，接触显微镜(MFM)成像，理论模拟以及使用先进的表征技术，如X射线光发射电子显微镜。各种不同的技术的组合为一个复杂的问题提供了一个全面的多方面视图，从而能够对一个高度争论的开放问题获得新的见解。

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