推进半导体芯片技术的核心是一个严峻的挑战：创造更小、更高效的电子元件。这一挑战在光刻领域尤其明显，光刻是一种在半导体材料(称为晶圆)上创建复杂图案以生产芯片的工艺。

光刻使用一种称为光掩模(或简称掩模)的模板来在半导体晶圆上创建图案。该行业一直在寻找提高掩模和晶圆的分辨率和可制造性的方法，这将生产出更快的芯片，并具有更高的正常运行芯片产量。

提高分辨率和图案保真度的计算光刻技术，例如光学邻近校正(OPC)，通过修改单个掩模图案以改善掩模和晶圆印刷，在应对这些挑战方面取得了重大进展。

逆向光刻技术(ILT)是一种数学上严格的逆向方法，可确定将产生所需的晶圆结果的掩模形状，已被视为解决先进芯片光刻的许多挑战的有前途的解决方案。自十多年前推出以来，已有大量研究表明，曲线ILT掩模形状尤其能产生最佳晶圆效果。

然而，直到最近，与这种计算技术相关的运行时间还限制了其在芯片上关键“热点”的实际应用。2019年，提出了一种全新的专用系统，其中包括一种独特的GPU加速方法，该方法模拟单个巨型GPU/CPU对，可以同时计算整个全芯片ILT解决方案。这种新颖的方法是为ILT和GPU加速而系统设计的，使全芯片ILT在生产中成为现实。

然而，这种方法依赖于多光束掩模写入，这是掩模写入的一个重要的新发展，它是基于像素的，因此在写入时间方面与形状无关。剩下的问题是，全芯片曲线ILT的优势是否可以扩展到可变形状光束(VSB)掩模写入器，这些掩模写入器写入直线(有时是三角形)形状而不是像素，并且构成掩模写入器的大部分今天世界各地。

虽然VSB写入器通过一次写入一个矩形镜头来快速创建较大的矩形形状，但复杂的掩模图案可能是一个问题，因为创建它们所需的大量小矩形会花费很长时间来写入。

D2S,Inc.的团队在《微/纳米图案、材料和计量杂志》上报告了他们的工作，发明了一种称为掩模晶圆协同优化(MWCO)的方法，该方法具有三个见解：掩模写入器和晶圆扫描仪都是低功耗的。通过过滤器;由掩模/晶圆模拟引导的重叠镜头可以用更少的镜头创建曲线形状;通过瞄准晶圆图案而不是掩模图案，人们可​​以创建更简单的镜头来打印正确的晶圆图案。通过使用这种双重模拟，晶圆印刷质量得到迭代优化，同时操纵VSB发射边缘以产生已知可在VSB写入器上写入的直线目标掩模形状，并具有已知且可接受的发射数量。

D2S和美光科技已经证明，与美光OPC相比，MWCO可以将晶圆变异减少3倍，并且可以将晶圆工艺窗口提高2倍，这表明光刻工艺的精度和可靠性得到了大幅提高。全曲线ILT掩模的写入时间将小于12小时，满足大批量生产要求。

这意味着所有半导体制造商现在都可以生产出不仅尺寸

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