基于量子阱(QW)和量子点(QD)半导体材料的片上激光二极管因其优异的特性(包括高功率效率、高温工作和小外形尺寸)已成为多种应用的主要技术。尽管量子阱已广泛应用于商业产品中，但量子点因其独特的零维态密度和类原子简并性而成为一种有吸引力的替代品。

III-V激光器与SiN微谐振器的异质集成，在自注入锁定的辅助下，不仅提供了紧凑性和大批量生产的固有优势，而且还增强了稳定性。与原生平台上生长的III-V激光器相比，该技术能够实现线宽缩小方面的卓越性能。

发表在《光：科学与应用》上的一项新研究是对复合腔激光器活性介质设计的参数研究。该研究团队由沙特阿拉伯阿卜杜拉国王科技大学(KAUST)集成光子学实验室的YatingWan教授、美国阿尔伯克基桑迪亚国家实验室的WengW.Chow博士和来自沙特阿拉伯的FrédéricGrillot教授领导。LTCI、巴黎电信、法国巴黎综合理工学院和美国加州大学圣塔芭芭拉分校的JohnBowers教授重点研究了载流子量子限制对锁定复合腔器件动态和光谱特性的影响。

具体来说，他们研究了将III-VQW或QD分布式反馈(DFB)激光器与SiN微环谐振器集成可实现的发射光谱细化或线宽缩小。“当正确调整并锁定到一个或多个微环的回音壁模式时，瑞利反向散射形式的光学反馈可以使激光二极管的激光线宽大幅减少到赫兹级，”第一人埃马德·阿尔哈兹拉吉(EmadAlkhazraji)说。论文作者。

通过遗传算法对QW和QD器件进行多目标设计操作优化分析，得出了参数研究的结论。然后采用多决策算法来确定每个优化变量的最佳设计操作点。万雅婷教授总结道：“这些发现为更全面的参数研究提供了指导，可以为工程设计提供及时的结果。”

版权说明：本站所有作品图文均由用户自行上传分享，仅供网友学习交流。若您的权利被侵害，请联系我们

标签：教授激光器线宽