半导体量子点(QDs)材料因色域广、发射波长可调、量子效率高、色饱和度高、加工成本低等特点，在照明和显示领域展现出巨大的应用潜力。例如，基于镉和钙钛矿的QD材料取得了显著进展，但有毒物质Cd和Pb的使用限制了它们的进一步应用。

《欧盟有害物质限制指令》(RoHS)明确规定电子产品中镉和铅的使用量分别不得超过100ppm和1000ppm，因此开发新型环保量子点材料体系具有重要意义。

近年来，环境友好的I-III-VI2量子点，如Ag-In-Ga-S(AIGS)量子点，由于其斯托克斯位移大、整个可见光谱的可控发射以及高光致发光量子产率(PLQY)而受到广泛关注。

它们在照明和显示领域表现出巨大的潜力。由于AIGS元素组成的多样性，它通常在可见光范围内表现出较宽的发射光谱，并伴有较强的带隙主发射峰和较弱的缺陷发射峰。

目前研究者多通过核壳结构或合金化来缩小PL光谱以满足显示要求，但QDs宽光谱的双重发射特性在白光应用中优势明显，可以实现单一材料白光发光器件(WLED)，避免多种荧光粉复合白光工艺复杂、自吸收、显色性差等缺点。

因此优化AIGSQDs的宽光谱特性、实现光谱精细调控对于研究AIGS发光特性、实现高品质WLED至关重要。

在此基础上，郑州大学宋继忠教授利用量子点材料依赖于尺寸的量子限制特性，通过温度调控AIGS量子点的成核和生长，控制量子点晶体的尺寸分布，从而调控其发射光谱，实现了具有绿红双发射特性的AIGS量子点。该论文发表在《光电进展》杂志上。

本工作采用一步热注射法合成AIGS量子点，并通过调控温度来控制晶体的尺寸。

低温下(180℃)更容易形成较小的粒子(尺寸为3.7nm)，高温下(250℃)晶体趋于长大(尺寸为16.5nm)，220℃时得到了两种不同尺寸分布(17nm和3.7nm)的AIGSQDs，导致它们的激子发射峰差别很大。

最终获得了具有绿-红双发射(530nm~630nm)的AIGS量子点，并通过温度相关和激发相关光谱证实了双峰激子发光特性，该工作为研究新型AIGS量子点材料体系的发光性质提供了新的视角。

这种宽带、双峰发射量子点在WLED中有着巨大的潜力，本工作将具有绿红双发射的AIGS量子点与聚合物混合压成薄膜，与蓝光LED芯片结合，成功制备了色品坐标为(0.33，0.31)，相关色温(CCT)为5,425K，显色指数(CRI)为90，辐射光度效率(LER)为129lm/W的WLED，这表明AIGS量子点在照明应用方面具有巨大的潜力。

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