据报道，三星将在即将召开的2024年IEEE国际固态电路会议上公布一系列尖端内存产品。除了之前宣布的GDDR7内存(将在高密度内存和接口会议上亮相)之外，这家韩国科技巨头还将推出超高速DDR5内存芯片。

高容量32GbDDR5DRAM采用12纳米(nm)级工艺技术开发，在相同封装尺寸下可提供两倍于16GbDDR5DRAM的容量。

虽然三星没有提供有关将在大会上推出的DDR5芯片的太多信息，但我们确实知道DDR5的I/O速度每引脚高达8000Mbps，并且它是采用三星第五代对称马赛克架构创建的。第一代10纳米级代工节点，专为DRAM产品量身定制。

当新的DDR5产品于2023年底首次发布时，三星电子DRAM产品与技术执行副总裁SangJoonHwang表示。“凭借我们的12纳米级32GbDRAM，我们获得了一种解决方案，可实现高达1太字节(TB)的DRAM模块，使我们能够处于理想位置，满足当今时代对大容量DRAM日益增长的需求。AI(人工智能)和大数据。我们将继续通过差异化的工艺和设计技术开发DRAM解决方案，打破内存技术的界限。”

之前的DDR5128GBDRAM模块使用16GbDRAM制造，需要采用硅通孔(TSV)工艺。然而，据三星称，新的32GbDRAM无需TSV工艺即可生产128GB模块，从而降低了约10%的功耗。这使得它成为目前正在应对人工智能日益增长的能源需求的数据中心的受欢迎的解决方案。

三星最新的DDR5技术允许在单列配置中创建DDR5-8000速度的32GB和48GBDIMM，并且还支持在双列配置中创建64GB和96GBDIMM。毫无疑问，一旦会议开始，我们将了解更多有关新内存的信息。

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