尽管卤化物钙钛矿发光器件具有高效率、高色纯度和宽色域等优异性能，但其产业化集成普遍存在器件多层结构技术复杂以及运行中发热稳定性差等问题。

卤化物钙钛矿发光电化学电池是一种新型的钙钛矿光电器件，它与钙钛矿发光二极管的区别在于简单的单层结构。钙钛矿发光电化学电池由硅衬底、多功能单复合钙钛矿层(卤化物钙钛矿微晶、聚合物支撑基体和添加的移动离子的混合物)和透明单壁碳纳米管薄膜顶部接触组成。

由于硅具有良好的导热性，与传统的ITO/玻璃基板相比，该设备在运行期间承受的热量减少了40%。此外，当对设备施加正偏压时，它会在523nm(绿色)处产生超过7,000cd/m2的亮度。当对设备施加负偏压时，它作为光电探测器运行，灵敏度高达0.75A/W(对于蓝色或紫外线区域的波长)，比探测率为8.56∙1011琼斯，线性动态范围为48dB。这种设备的技术潜力通过24像素指示器显示的演示以及通过创建最小特征小于50μm的电致发光图像成功实现设备小型化得到证明。

钙钛矿发光电化学电池是传统钙钛矿材料器件研究发光二极管的可行替代品。钙钛矿发光电化学电池不仅具有更简单的结构和设计，一个单一的功能层取代了钙钛矿发光二极管的多个活性、电荷分离和传输层，而且钙钛矿发光电化学电池可以拥有所有LED的非凡特性，例如高效率、高色纯度和宽色域。

钙钛矿发光电化学电池能够做到这一点的原因与LED的工作原理完全不同：当向设备施加电偏压时，钙钛矿层内移动的正离子和负离子动态地向相应的电极迁移，从而在内部形成pin结构钙钛矿层，它允许有效的电子空穴复合和光子发射。对传统LED技术的各种备用技术的综合研究是使工业机会池多样化的宝贵来源。

报告的设备展示了卓越的发光和光检测(“双重功能”)特性以及增强的运行加热耐久性。这是可能的，因为在钙钛矿发光电化学电池的设计中使用了硅基板。硅材料是CMOS技术的垫脚石之一——互补金属氧化物半导体技术——用于制造所有半导体芯片、显示器等的技术。钙钛矿材料等新兴材料与硅的集成为研发界带来了一个离获得工业钙钛矿发光电化学电池又近了一步。

所报道的设备设计的更广泛的好处是其基于单壁碳纳米管的无ITO透明电极。ITO(氧化铟锡)是一种透明导电材料，广泛应用于钙钛矿光伏和光电领域。铟是一种耗尽元素，因此，用其他基于地球丰富元素的材料替代ITO将克服工业中的铟缺乏。

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